化學清洗可以有效对付氧化

點擊次數:   更新时间:16/01/06 16:59:01     来源:www.stqxgs.com關閉分    享:
  年关将至,对于我们很多人的传统,在这之前,一定要对使用的设备、机械等有个好的清理,便于来年的使用。因此更多的清洗方式被应用,而化學清洗自始至终一直是我们喜欢的,因为它可以更好的处理我们常见的也是难以处理的氧化问题。
  氧化反應可以在空氣中發生,或者是在有氧存在的加熱的化學品清洗池中。舉例來說,一般在清洗池中生成的氧化物,肅然薄(100-200),但其厚度足以阻止晶片表面在其它的工藝過程中發生正常的反應。這一薄層的氧化物可成爲絕緣體,從而阻擋晶片表面與導電的金屬層之間良好的電性接觸。去除這些薄的氧化層是很多工藝的。有一層氧化物的矽片表面叫做具有吸濕性。沒有氧化物的表面叫做具有憎水性。氫氟酸是去除氧化物的首選酸。在初始氧化之前,當晶片表面只有矽時,將其放入盛有最強的氫氟酸(49%)的池中清洗。氫氟酸將氧化物去除,卻不刻蝕矽片。
  在後面的工藝中,當晶片表面覆蓋著之前生成的氧化物時,用水和氫氟酸的混合溶液可將圓形的孔隙中的薄氧化層去除。這些溶液的強度從100:1到10:7(H2O:HF)變化。對于強度的選擇依賴于晶片上氧化物的多少,因爲水和氫氟酸的溶液既可晶片上孔中的氧化物刻蝕掉,又可將表面其余部分的氧化物去除。既要保證將孔中的氧化物去除,同時又不會過分地刻蝕其它的氧化層,就要選擇一定的強度。典型的稀釋溶液是1:50到1:100。
  清洗方式有很多,我们要根据实际情况的不同选择不同的清洗方式,虽然化學清洗可以有效的处理氧化问题,但并不意味着它可以在所有的方面得到应用,所以选择的重要性不言而喻。

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